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产品介绍
UV400 GaN基外延片测温仪详细说明
UV 400的前身TR 2100是*采用集成反射计(2001年)的高温计，为使用光纤镜头和950 nm激光实时测量发射率建立了行业标准。蓝宝石光管传感器和实时的黑体校准源取得的研究进展提供了完整的温度测量解决方案。
UV 400和UVR 400系统是专门为GaN基MOCVD外延工艺开发的下一代温度传感器。这些传感器可以直接测量晶圆表面温度，而非传统的基座温度。UVR 400较UV 400 增加了一个635 nm，0.5 kHz测量速度的反射率测量仪，可测量沉积厚度.
这些系统正在为 LED 生产过程设定一个新的标准，其结果显示工艺温度和终产品波长之间存在可靠的相关性.这种直接测量的方法可以更精确地控制晶片温度，从而提高成品率
主要特点
使用紫外波段直接测量GaN层温度；
使用脉冲光源实时快速测量发射率；
使用真正的光计数仪器将测量中的噪声降至低；
防止由于延迟采样（无快门打开和关闭）而造成的数据偏差
测温范围：650 至 1300℃
重复精度 0.01 °C (see TN-828)
典型应用
GaN 基 MOCVD 外延工艺
技术指标
| 测量参数 | |
温度范围: | 650 至 1300°C |
子温度区间: | 温度范围内任意可调，小跨度 51°C |
响应波长: | 383 至 410 nm |
探测器: | 光电倍增管, 暗计数范围小于原始值的 1% @ 650°C |
两次测量之间的等待时间: | 少于 1 μs |
分辨率: | 软件显示0.1℃； |
发射率 ε: | 0.100 至 1.000 调整步幅 0.001 |
透射率 τ: | 0.100 至 1.000 调整步幅 0.001 |
积分时间; | 少8ms |
测量不确定度: | 小于 1000°C, 3°C; |
| 重复性: (ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C) | 0.1% 或 0.1°C |
| 电参数 | |
| 功耗: | 大5W |
| 负载（模拟输出）: | 0 至 500 ? |
| 隔离: | 电源，模拟输出，数字接口彼此隔离 |
| 环境参数 | |
| 防护等级: | IP 40 IEC 60529 |
| 真空和气体: | 设备可承受氮气和真空（低于10 mbar），外壳有气孔 |
| 安装位置: | 任意 |
| 环境温度: | 10 至 38 °C |
| 存储温度: | -20 至 50 °C |
| 相对湿度: | 非凝露 |
| 重量: | 2.5 kg |
| 外壳: | 发黑氧化铝 |
| CE 认证: | 根据欧盟有关电磁抗扰度的指令 |
| 接口 | |
模拟输出: | 0 到 20 mA 或 4 到 20 mA, 线性 |
| 数字输出: | RS485可寻址（半双工） 波特率：1200 至 38400 |
| 大值存储: | 内置单存储器或双存储器 tclear 可调(off; 0.01 s; 0.05 s; 0.25 s; 1 s; 5 s; 25 s), |
| 反射率测试（仅 UVR400） | |
| 测试范围: | 0 至 100% |
| 速率: | 1000 Hz |
| 光源: | 激光二极管 |
| 测量波长 | 635 nm ±5 nm |
| 测量不确定度: | 测量范围的 2% |
| 重复精度: | 测量范围的 5% |
| 晶圆片允许倾斜公差: | 0.3° |
| 镜头工作距离 a: | 100mm |
| 模拟输出: | 0到20 mA 或 4到20 mA ;可切换 |
| 负载: | 0 到 500 Ohm |
UV400 GaN基外延片测温仪
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